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三星和首尔大学宣告非晶玻璃衬底GaN LEDs 面世
来源:http://www.hnzdjc168.com 作者:www.kb88.com 发布时间:2018-09-14 09:26 浏览量:

  三星和首尔大学宣告非晶玻璃衬底GaN LEDs 面世

   近来,三星尖端技能研讨所和首尔大学宣告开宣布了第一个由非晶玻璃衬底制作的发光二极管。环亚娱乐手机版

  众所周知,相对于成长在蓝宝石晶片上的GaN基发光二极管(GaN LEDs),生产商更情愿挑选进步硅衬底氮化镓发光二极管(GaN-on-Si-based LEDs)技能,因为蓝宝石晶圆的LED价格昂贵,并且不适合大尺度的晶圆级阵列。

  但由三星尖端技能研讨所和首尔大学进行的研讨发现,非晶玻璃衬底上的氮化镓发光二极管(GaN LEDs )不只制作本钱更低,在大尺度LED晶圆级封装方面可扩展性也更强,并且因为玻璃衬底的透明度,还可用于光电发射设备。

  据该研讨显现,操控五个成长阶段InGaN/GaN多量子阱的MOCVD成长关键在于理解在在金字塔形的LED阵列里的发光层是一种薄膜钛预定向层,其与氮化镓六角形晶体结构相似。

  继前定向层和开始的低温GaN层(LT- GaN)之后是一个洞图画的二氧化硅(SiO2)层,进一步清晰了在运用外延过程中放射层成长阶段的成核点。

  通过聚合的金字塔结构和终究的铟锡氧化物(ITO)电极层,金字塔形的LED器材照明将宣布范围在448-478纳米之间600 cd/m2的亮度。期货业灯号APP 供投资人参考

  

   三星首尔大学非晶玻璃衬底GaNMOCVD


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