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共享LED外延片的生长工艺www.kb88.com
来源:http://www.hnzdjc168.com 作者:www.kb88.com 发布时间:2018-09-20 14:24 浏览量:

  共享LED外延片的生长工艺

  今日来讨论LED外延片的成长工艺,前期在小积体电路年代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型VLSI,每一个8吋的外延片上也只能完结一两百个大型芯片。外延片的制作虽动輒出资数百亿,但却是一切电子工业的根底。

硅晶柱的长成,首要需求将纯度适当高的硅矿放入熔炉中,十大关键词倾诉2014年LED照明职业的“悲欢离合”,并参加预先设定好的金属物质,使发生出来的硅晶柱具有要求的电性特质,接着需求将一切物质消融后再长成单晶的硅晶柱,以下将对一切晶柱长成制程做介绍:

  长晶首要程式:

  1、消融(MELtDown)

  此进程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的消融温度之上,此阶段中最重要的参数为坩锅的方位与热量的供给,若运用较大的功率来消融复晶硅,石英坩锅的寿数会下降,反之功率太低则消融的进程费时太久,影响全体的产能。

  2、颈部成长(Neck Growth)

  当硅融浆的温度安稳之后,将方向的晶种逐步注入液中,ag88环亚国际,接着将晶种往上拉升,并使直径缩小到必定(约6mm),保持此直径并拉长10-20cm,以消除晶种内的排差(dislocation),此种零排差(dislocation-free)的操控首要为将排差限制在颈部的成长。

3、晶冠成长(Crown Growth)

  长完颈部后,慢慢地下降拉速与温度,使颈部的直径逐步添加到所需的巨细。

  4、晶体成长(Body Growth)

  使用拉速与温度改动的调整来迟保持固定的晶棒直径,所以坩锅有必要不断的上升来保持固定的液面高度,所以由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐步添加,此辐射热源将致使固业介面的温度梯度逐步变小,所以在晶棒成长阶段的拉速有必要逐步地下降,以防止晶棒歪曲的现象发生。

5、尾部成长(Tail Growth)

  当晶体成长到固定(需求)的长度后,晶棒的直径有必要逐步地缩小,直到与液面分隔,此乃防止因热应力形成排差与滑移面现象。

  切开:

  晶棒长成今后就可以把它切开成一片一片的,也就是外延片。芯片, 圆片,是半导体元件"芯片"或"芯片"的基材,从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱 (Crystal Ingot)上,所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。

  磊晶:

  砷化鎵磊晶依制程的不同,可分为LPE(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。LPE的技能较低,首要用于一般的发光二极体,而MBE的技能层次较高,简单成长极薄的磊晶,且纯度高,平坦性好,但量产才能低,磊晶成长速度慢。MOCVD除了纯度高,平坦性好外,量产才能及磊晶成长速度亦较MBE为快,所以现在大都以MOCVD来出产。
其进程首要是将GaAs衬底放入贵重的有机化学汽相堆积炉(简MOCVD,又称外延炉),再通入III、II族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸气与非金属(V或VI族元素)的氢化物(或烷基物)气体,在高温下,发生热解反响,www.kb88.com,生成III-V或II-VI族化合物堆积在衬底上,成长出一层厚度仅几微米(1毫米=1000微米)的化合物半导体外延层。长有外延层的GaAs片也就是常称的外延片。外延片经芯片加工后,通电就能宣布顏色很纯的单色光,如赤色、黄色等。不同的资料、不同的成长条件以及不同的外延层结构都可以改动发光的顏色和亮度。其实,在几微米厚的外延层中,真实发光的也仅是其间的几百纳米(1微米=1000纳米)厚的量子阱结构。

  反响式: Ga(CH3)3 +PH3= GaP+3CH4

  

   LEDLED外延片芯片MOCVD


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