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共享:探究白光LED劣化原因
来源:http://www.hnzdjc168.com 作者:www.kb88.com 发布时间:2018-09-16 12:16 浏览量:

  共享:探究白光LED劣化原因

  最近几年全球各国对环保、省动力等动力议题越来越关怀,因而直接触动这些范畴的出资与技能开发,在这之中又以太阳电池、锂离子电池、SiC功率晶体管、白光LED最受注视,一般以为上述计划在国家规划的支持下,往后可望成为高度生长的范畴。

  白光LED现已从移动电话、液晶电视背光模块,正式跨足进入医疗、轿车、植物培养等一般运用照明范畴,国外业者乃至推出平价60W等级的白光LED灯泡,这类运用复数个白光LED的新代代照明光源,正快速替代传统荧光灯与白热灯泡。

  有关液晶电视背光模块或是大型照明,运用数量很多的白光LED,有必要一起兼具本钱与功能的传统课题,日本业者普遍以为2011年可望完成0.5日圆/lm、200lm/W的预订方针,其间芯片功能的提高、荧光体、封装技能的开发,一向扮演关键性的人物。可靠性是白光LED别的一项重要课题,它包括单体LED的耐久性,以及复数白光LED一起点灯时的辉度散布等等,为战胜这些问题,国内外厂商现已活跃打开技能开发。

  有关白光LED的耐久性亦即LED的劣化,一般以为光束、封装,以及芯片的时间性劣化,是形成寿数下降的首要原因,但是实际上这些劣化要因扑朔迷离,因而劣化形式的剖析十分困难,特别是白光LED的寿数很长,不易进行劣化实验。传统劣化实验例如:电流加快实验、温度加快实验、加快耐候实验等等,接着本文要介绍过电压劣化实验的成果,以及白光LED劣化的剖析成果。

  剖析办法与评鉴项目

图1是典型照明用白光LED的根本结构与劣化要因一览;表1是GaN系LED与相关资料首要评鉴项目,以及剖析方法一览。交叉式电子显微镜(TEM;Transmission Electron Microscope) 能够依据LED的断面结构直接调查转位与缺点,劣化剖析时微细部位的倾斜、应力、成分、载子浓度、缺点评鉴十分重要,特别是奈米等级的载子浓度与缺点评鉴剖析,一般都运用:扫描型探针显微镜(SPM;Scanning Probe Microscope)、扫描型分散阻抗显微镜(SSRM;Scanning Spread Resistance Microscopy)、扫描型容量显微镜(SCM;Scanning Capacitance Microscopy)、ag88环亚国际,阴极发光法 (CL;Cathodo Luminescence)。

  

  

  


有关树脂与荧光体结构的评鉴,一般以为运用:傅立叶红外分光法(FT-IR;Fourier Transform Infrared Spectrometer)、固体核磁共识法(固体NMR;Solid-State Nuclear Magnetic Resonance)、拉曼 (Raman) 分光法能够获得预期作用。


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